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Everspin Technologies Inc
8,82 $
Nachbörse:
8,80 $
(0,23 %)-0,020
Geschlossen: 13. März, 20:00:00 GMT-4 · USD · NASDAQ · Haftungsausschluss
AktieIn USA notiertes WertpapierHauptsitz in USA
Letzter Kursschluss
8,93 $
Preisspanne heute
8,80 $ - 9,32 $
Preisspanne im Jahr
4,34 $ - 17,24 $
Marktkapitalisierung
203,92 Mio. USD
Durchschnittliches Volumen
743.614,00
KGV
-
Dividendenrendite
-
Primärbörse
NASDAQ
Marktnachrichten
Finanzdaten
Gewinn- und Verlustrechnung (GuV)
Umsatz
Nettogewinn
(USD)Dez. 2025Veränd. Jahresvgl.
Umsatz
14,80 Mio.11,78 %
Betriebskosten
8,58 Mio.2,75 %
Nettogewinn
1,20 Mio.-1,48 %
Nettoumsatzrendite
8,08-11,89 %
Gewinn je Aktie
0,11-12,65 %
EBITDA
-717.000,0036,15 %
Effektiver Steuersatz
9,67 %
Gesamtvermögen
Gesamtverbindlichkeiten
(USD)Dez. 2025Veränd. Jahresvgl.
Bar- und kurzfr. Invest.
44,45 Mio.5,59 %
Gesamtvermögen
84,61 Mio.8,77 %
Gesamtverbindlichkeiten
15,69 Mio.3,26 %
Gesamtkapital
68,92 Mio.
Ausgegebene Aktien
23,12 Mio.
Kurs-Buchwert-Verhältnis
2,98
Gesamtkapitalrentabilität
-3,24 %
Kapitalrendite
-3,77 %
Zahlungswirksame Veränderung des Finanzmittelbestands
(USD)Dez. 2025Veränd. Jahresvgl.
Nettogewinn
1,20 Mio.-1,48 %
Operativer Cashflow
2,62 Mio.-31,54 %
Barmittel aus Invest.
-3,94 Mio.-124,18 %
Barmittel aus Finanzierung
510.000,0017,51 %
Zahlungswirksame Veränderung des Finanzmittelbestands
-807.000,00-132,16 %
Ungehinderter Cashflow
110.250,00-94,84 %
Info
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM. MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Gegründet
2008
Mitarbeiter
85
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