Գլխավոր էջMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
5,93 $
Բորսայի փակումից հետո`(0,00%)0,00
5,93 $
Փակ են՝ 6 հնս, 16:01:57 GMT-4 · USD · NASDAQ · Հրաժարագիր
Նախորդ փակումը
5,76 $
Օրական միջակայքը
5,81 $ - 5,94 $
Տարեկան միջակայքը
4,34 $ - 7,00 $
Շուկայի կապիտալիզացիա
133,23 մլն USD
Միջին ծավալը
81,68 հզր
Գին/շահույթ
-
Շահաբաժնի եկամտաբերությունը
-
Հիմնական բորսաներ
NASDAQ
Նորություններում
Ֆինանսական տվյալներ
Եկամուտների մասին հաշվետվություն
Եկամուտ
Զուտ եկամուտ
(USD) | 2025 թ. մրտinfo | Տարեկան փոփոխություն |
---|---|---|
Եկամուտ | 13,14 մլն | -8,95% |
Գործառնական ծախսեր | 8,68 մլն | -0,86% |
Զուտ եկամուտ | -1,17 մլն | -477,23% |
Զուտ շահույթի եկամտաբերություն | -8,88 | -534,29% |
Մեկ բաժնետոմսից ստացված շահույթ | 0,02 | -71,87% |
EBITDA | -1,09 մլն | -437,62% |
Հարկի արդյունավետ դրույքաչափ | -2,64% | — |
Հաշվապահական հաշվեկշիռ
Ակտիվների ընդհանուր թիվը
Պարտավորությունների թիվը
(USD) | 2025 թ. մրտinfo | Տարեկան փոփոխություն |
---|---|---|
Կանխիկ/կարճաժ. ներդրումներ | 42,16 մլն | 21,14% |
Ակտիվների ընդհանուր թիվը | 80,23 մլն | 21,26% |
Պարտավորությունների թիվը | 17,20 մլն | 65,67% |
Ընդհանուր կապիտալը | 63,03 մլն | — |
Չմարված բաժնետոմսեր | 22,47 մլն | — |
Գին/հաշվեկշռային արժեք | 2,04 | — |
Ակտիվների շահութաբերութ. | -6,11% | — |
Կապիտալի շահութաբերություն | -6,99% | — |
Դրամական հոսք
Կանխիկի մնացորդի զուտ փոփոխություն
(USD) | 2025 թ. մրտinfo | Տարեկան փոփոխություն |
---|---|---|
Զուտ եկամուտ | -1,17 մլն | -477,23% |
Գործարքներից կանխիկ | 1,44 մլն | 211,37% |
Ներդրումներից կանխիկ | -1,39 մլն | -15,44% |
Ֆինանսավորումից կանխիկ | 12,00 հզր | -96,60% |
Կանխիկի մնացորդի զուտ փոփոխություն | 61,00 հզր | 102,84% |
Ազատ դրամական հոսք | 1,74 մլն | 156,78% |
Տեղեկություն
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Հիմնադրման ամսաթիվը
2008
Գլխամասերի հասցեները
Կայք
Աշխատակազմ
87