მთავარიMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
წინა დახურული
11,38 $
დღიური დიაპაზონი
10,78 $ - 11,38 $
წლიური დიაპაზონი
4,34 $ - 12,27 $
საბაზრო კაპიტალიზაცია
251,70 მლნ. USD
საშუალო მოცულობა
259,90 ათ.
შემ. კოეფ.
153,59
დივიდენდური შემოსავლიანობა
-
ძირითადი გაცვლა
NASDAQ
ბაზრის სიახლეები
WCP
0,29%
1,79%
ფინანსური მაჩვენებლები
შემოსავლის ამონაწერი
შემოსავალი
სუფთა შემომავალი
(USD) | ივნ. 2025info | წლიდან წლამდე ცვლილ. |
---|---|---|
შემოსავალი | 13,20 მლნ. | 24,12% |
სამეწარმეო ხარჯი | 8,73 მლნ. | 8,64% |
სუფთა შემომავალი | -670,00 ათ. | 73,22% |
წმინდა მოგების ზღვარი | -5,08 | 78,40% |
გამომუშავებული თანხა აქციაზე | 0,03 | 201,01% |
EBITDA | -1,11 მლნ. | 54,09% |
ეფექტური საგადასახადო განაკვეთი | 3,74% | — |
ბალანსის ფურცელი
აქტივების საერთო რაოდენობა
პასუხისმგებლ. საერთო რაოდ.
(USD) | ივნ. 2025info | წლიდან წლამდე ცვლილ. |
---|---|---|
ნაღ. ფული და მოკლე ინვესტ. | 44,96 მლნ. | 22,30% |
აქტივების საერთო რაოდენობა | 78,92 მლნ. | 22,24% |
პასუხისმგებლ. საერთო რაოდ. | 14,85 მლნ. | 62,39% |
კაპიტალის საერთო რაოდენობა | 64,08 მლნ. | — |
მიმოქცევაში მყოფი აქციები | 22,63 მლნ. | — |
საბაზრო ღირებულების ნომინალურთან შეფარდება | 4,01 | — |
აქტივების რენტაბელურობა | -6,16% | — |
კაპიტალის რენტაბელურობა | -7,24% | — |
ფულის ბრუნვა
წმინდა ნაშთი ნაღდი ფულის სახით
(USD) | ივნ. 2025info | წლიდან წლამდე ცვლილ. |
---|---|---|
სუფთა შემომავალი | -670,00 ათ. | 73,22% |
ნაღდი ფული ოპერაციებიდან | 5,02 მლნ. | 191,40% |
ნაღდი ფული ინვესტირებიდან | -2,49 მლნ. | -7 214,71% |
ნაღდი ფული დაფინანსებიდან | 276,00 ათ. | 0,00% |
წმინდა ნაშთი ნაღდი ფულის სახით | 2,80 მლნ. | 42,84% |
ფულის თავისუფალი ბრუნვა | 1,80 მლნ. | -28,04% |
ინფორმაცია
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
დაარსდა
2008
სათაო ოფისი
ვებსაიტი
თანამშრომლები
87