Главная страницаMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies
8,82 $
После закрытия сессии:(0,23 %)-0,020
8,80 $
Закрыто: 13 мар., 20:00:00 GMT-4 · USD · NASDAQ · Отказ от обязательств
Курс закрытия
8,93 $
Диапазон за день
8,80 $ - 9,32 $
Диапазон за год
4,34 $ - 17,24 $
Рыночная капитализация
203,92 млн USD
Средний объем торгов
743,61 тыс.
Цена/прибыль
-
Дивидендная доходность
-
Основная торговая площадка
NASDAQ
Новости рынка
Финансовые результаты
Отчет о финансовых результатах
Доход
Чистая прибыль
| (USD) | дек. 2025 г.info | Изменение за год |
|---|---|---|
Доход | 14,80 млн | 11,78 % |
Операционные затраты | 8,58 млн | 2,75 % |
Чистая прибыль | 1,20 млн | -1,48 % |
Рентабельность по чистой прибыли | 8,08 | -11,89 % |
Прибыль на акцию | 0,11 | -12,65 % |
EBITDA | -717,00 тыс. | 36,15 % |
Эффективная налоговая ставка | 9,67 % | — |
Бухгалтерский баланс
Итого активов
Итого обязательств
| (USD) | дек. 2025 г.info | Изменение за год |
|---|---|---|
Краткосрочные инвестиции | 44,45 млн | 5,59 % |
Итого активов | 84,61 млн | 8,77 % |
Итого обязательств | 15,69 млн | 3,26 % |
Итого собств. капитала | 68,92 млн | — |
Акций в обращении | 23,12 млн | — |
Цена/балансовая стоимость | 2,98 | — |
Рентабельность активов | -3,24 % | — |
Рентабельность капитала | -3,77 % | — |
Поток денежных средств
Чистое изменение остатка денежных средств
| (USD) | дек. 2025 г.info | Изменение за год |
|---|---|---|
Чистая прибыль | 1,20 млн | -1,48 % |
Средства от операций | 2,62 млн | -31,54 % |
Средства от инвестиций | -3,94 млн | -124,18 % |
Средства от финансирования | 510,00 тыс. | 17,51 % |
Чистое изменение остатка денежных средств | -807,00 тыс. | -132,16 % |
Свободный денежный поток | 110,25 тыс. | -94,84 % |
Обзор
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Дата основания
2008
Главный офис
Сайт
Число сотрудников
85