Домашня сторінкаMRAM • NASDAQ
add
Everspin Technologies Inc
10,91 $
Після закриття:(1,47%)+0,16
11,07 $
Закрито: 14 жовт., 16:30:00 GMT-4 · USD · NASDAQ · Застереження
Закриття попер. дня
11,38 $
Діапазон цін за день
10,78 $ - 11,38 $
Діапазон цін за рік
4,34 $ - 12,27 $
Ринкова капіталізація
246,84 млн USD
Сер. обсяг
259,90 тис.
Коефіцієнт ціна/прибуток
152,61
Дивідендний прибуток
-
Основна біржа
NASDAQ
Новини ринку
Фінансові дані
Звіт про фінансові результати
Дохід
Чистий дохід
(USD) | черв. 2025 р.info | Зміна за рік |
---|---|---|
Дохід | 13,20 млн | 24,12% |
Операційні витрати | 8,73 млн | 8,64% |
Чистий дохід | -670,00 тис. | 73,22% |
Маржа чистого прибутку | -5,08 | 78,40% |
Прибуток на акцію | 0,03 | 201,01% |
EBITDA | -1,11 млн | 54,09% |
Ефективна ставка податку | 3,74% | — |
Бухгалтерський баланс
Загальна вартість активів
Загальна сума зобов’язань
(USD) | черв. 2025 р.info | Зміна за рік |
---|---|---|
Готівкові й короткострокові вклади | 44,96 млн | 22,30% |
Загальна вартість активів | 78,92 млн | 22,24% |
Загальна сума зобов’язань | 14,85 млн | 62,39% |
Заг. сума власн. капіталу | 64,08 млн | — |
Циркулюючі акції | 22,63 млн | — |
P/B коефіцієнт | 4,01 | — |
Рентабельність активів | -6,16% | — |
Рентабельність капіталу | -7,24% | — |
Грошовий потік
Чиста зміна залишку готівки
(USD) | черв. 2025 р.info | Зміна за рік |
---|---|---|
Чистий дохід | -670,00 тис. | 73,22% |
Готівка від операцій | 5,02 млн | 191,40% |
Готівка від інвестицій | -2,49 млн | -7 214,71% |
Готівка від фінансування | 276,00 тис. | 0,00% |
Чиста зміна залишку готівки | 2,80 млн | 42,84% |
Вільний грошовий потік | 1,80 млн | -28,04% |
Інформація
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM.
MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Дата заснування
2008
Головний офіс
Веб-сайт
Кількість працівників
87